7nm工艺 高通推全新5G基带 全网通
今天，高通官方宣布推出旗下的第二代5G芯片“骁龙X55”，这是一款采用7nm工艺打造的产品。
作为对比，高通在2016年底发布的骁龙X50采用了28nm工艺制造，虽然支持5G，但对频段的支持并不全，而且必须与骁龙855内置基带合作才能支持2G/3G/4G，同时功耗和发热都不够理想。
而本次发布的骁龙X55基本上就没有任何槽点了，7nm工艺完美控制了体积和发热量，而且升级到了5G多模，并向下兼容2G/3G/4G网络，可以说是5G全网通了。
规格方面，在4G网路下最高支持LTE Cat.22，同时还有八载波聚合以及256-QAM，最高下行速度2.5Gbps。
5G网路方面，骁龙X55支持26GHz、28GHz、39GHz三个毫米波段，以及TDD/FDD双模式的5G NR 6GHz以下频段（骁龙X50仅支持28GHz、39GHz两个毫米波段，以及TDD模式5G NR 6GHz以下频段）。
为了搭配骁龙X55基带，高通还发布了新的毫米波天线模块“QTM525”，取代此前的QTM052。
高通称新模块的体积更小，可放入厚度不到8毫米的轻薄手机中，规格方面维持相同的2x2 MIMO 800MHz带宽，毫米波段速度最高6Gbps，在LTE 4G模式下叠加6GHz以下频段后最高可达7Gbps。
此外，高通还同时发布了两款新的5G RF射频方案，5G包络跟踪器“QET6100”、5G NR适应性天线调节器“QAT3555”。
其中，QET6100是首个支持100MHz上传频段的5G ET方案，此前最高仅支持40MHz。高通称新方案的能效最高提升了2倍，有利于延长电池续航，并改善了室内网络、256-QAM的覆盖能力和网络利用率。
而QAT3555支持数量庞大的5G天线，600MHz-6GHz频率全覆盖，而且封装厚度减小了25％。对比前代产品，它还加强了室内覆盖，提高了能效，持续数据传输率更高更稳，简单来说就是避免了死亡之握。
遗憾的是，即将发布的首批搭载骁龙855移动平台的5G手机应该还是搭配的X50 5G基带，X55基带的出货时间会是今年晚些时候。
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